FT-CZ1200Si

硅部件級單晶爐

拉晶過程全程自動化

在惰性氣體環(huán)境中，用石墨加熱器將硅材料熔化，

用直拉法生長無位錯單晶的設備。

 

性能優(yōu)勢

 大直徑設計結構：匹配大直徑單晶硅棒生長所需空間。

可采用連續(xù)加料裝置。

采用超低碳不銹鋼材料，結構穩(wěn)定。

8英寸硅部件級單晶爐
型號  FT-CZ1200Si
場所 周圍溫度 15~30℃
周圍濕度 ≤65%（無結露，腐蝕氣體）
潔凈度 一般環(huán)境水平
噪音 ≤75db
地基 3000kg/㎡以上
電源 額定電壓 3P 380VAC±10%  50/60Hz
額定電容 320kVA
額定流量 500A
冷卻水 流量范圍 350~400L/min
供給壓力 0.3~0.4MPa
重量 設備高度 ＜8250mm                                                                            △    
設備重量 約10T

 

 

△ 項數據視上爐筒高度而定，本設備數據不含磁場。

全國熱線

021-36162928

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